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2N7002LT1G N-Kanal 60 V 115 mA 2,5 V 250 uA 7,5 Ω 500 mA, 10 V 225 mW SOT-23 (SOT-23-3) MOSFETs RoHS
Produktparameter
| Attribut | Wert |
| Hersteller: | ON Halbleiter |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Fall: | SOT-23-3 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 60 V |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 115mA |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 7,5 Ohm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 Volt, + 20 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 1 V |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 300mW |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Verpackung: | Spule |
| Aufbau: | Einzel |
| Höhe: | 0,94mm |
| Länge: | 2,9 mm |
| Produkt: | MOSFET-Kleinsignal |
| Serie: | 2N7002L |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal |
| Typ: | MOSFET |
| Breite: | 1,3mm |
| Marke: | ON Halbleiter |
| Vorwärtstranskonduktanz - Min.: | 80 ms |
| Produktart: | MOSFET |
| Werkspackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 40 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 20 ns |
| Gewichtseinheit: | 0,000282 oz |
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