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MMBT2907ALT1G PNP 600 mA 60 V 300 mW SOT-23 (SOT-23-3) Bipolartransistoren – BJT RoHS

Kurze Beschreibung:

Herstellerproduktnummer: MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Paket: SOT-23(SOT-23-3)
Beschreibung: Bipolartransistoren – BJT 600mA 60V PNP
Datenblatt: Bitte kontaktieren Sie uns.


Produktdetail

Produkt Tags

Produktparameter

Attribut Wert
Hersteller: ON Halbleiter
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS: Einzelheiten
Montageart: SMD/SMT
Paket / Fall: SOT-23-3
Transistorpolarität: PNP
Aufbau: Einzel
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max: - 60 V
Kollektor- Basisspannung VCBO: - 60 V
Emitter- Basisspannung VEBO: 5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - 1,6 V
Maximaler DC-Kollektorstrom: 0,6A
Pd - Verlustleistung: 225mW
Bandbreitenprodukt fT gewinnen: 200MHz
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Serie: MMBT2907AL
Verpackung: Klebeband schneiden
Verpackung: MausReel
Verpackung: Spule
Höhe: 0,94mm
Länge: 2,9 mm
Technologie: Si
Breite: 1,3mm
Marke: ON Halbleiter
Kontinuierlicher Kollektorstrom: - 0,6A
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min: 75
Produktart: BJTs - Bipolartransistoren
Werkspackungsmenge: 3000
Unterkategorie: Transistoren
Gewichtseinheit: 0,001058 oz

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