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MMBT4401LT1G NPN 600 mA 40 V 300 mW SOT-23 (SOT-23-3) Bipolartransistoren – BJT RoHS

Kurze Beschreibung:

Herstellerproduktnummer: MMBT4401LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Paket: SOT-23(SOT-23-3)
Beschreibung: Bipolartransistoren – BJT 600mA 60V NPN
Datenblatt: Bitte kontaktieren Sie uns.


Produktdetail

Produkt Tags

Produktparameter

Attribut Wert
Hersteller: ON Halbleiter
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS: Einzelheiten
Montageart: SMD/SMT
Paket / Fall: SOT-23-3
Transistorpolarität: NPN
Aufbau: Einzel
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max: 40 V
Kollektor- Basisspannung VCBO: 60 V
Emitter- Basisspannung VEBO: 6 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 0,75 V
Maximaler DC-Kollektorstrom: 0,6A
Pd - Verlustleistung: 225mW
Bandbreitenprodukt fT gewinnen: 250 MHz
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Serie: MMBT4401L
Verpackung: Klebeband schneiden
Verpackung: MausReel
Verpackung: Spule
Höhe: 0,94mm
Länge: 2,9 mm
Technologie: Si
Breite: 1,3mm
Marke: ON Halbleiter
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 0,6A
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min: 20
Produktart: BJTs - Bipolartransistoren
Werkspackungsmenge: 3000
Unterkategorie: Transistoren
Gewichtseinheit: 0,001058 oz

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